طراحی و ساخت آشکار ساز فتودیودی InSb با استفاده از کاشت یون +Be

سال انتشار: 1388
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,494

متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ICOPTICP16_014

تاریخ نمایه سازی: 18 تیر 1388

چکیده مقاله:

در این تحقیق نتایج به دست آمده از کاشت یون Be+ در نیمه هادی n-InSb به منظور ساخت آشکار ساز فتودیودی مادون قرمز در بازه طول موج 5-3µm ارائه شده است. فتودیودی به روش کاشت یون، با دز 14 10×4 cm -2 و انرژی KeV 100 ، همراه با عملیاتی حرارتی 350C به مدت 30 دقیقه طراحی و ساخته شده است که دارای جریان تاریکی 2nA در بایاس معکوس 50mV و آشکارسازی بیشینه طول موجی cm Hz 1/2 W1 (Dλ) 9 ×10 10 می باشد.

کلیدواژه ها:

نویسندگان

علی اوسط علی پور

صنایع قطعات نیمه هادی، صنعت آپتوالکترونیک

محسن مرادی

صنایع قطعات نیمه هادی، صنعت آپتوالکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد ت

محمد دارایی

صنایع قطعات نیمه هادی، صنعت آپتوالکترونیک

مرتضی راستگو

صنایع قطعات نیمه هادی، صنعت آپتوالکترونیک

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • A. Rogalski, "Infrared Detectors", GB Publishers, Chapter 12, (2000). ...
  • A. Rogalski, _ Third generation infrared detectors", ...
  • S.L. Tu, K.F. Huang and S.J. Yang, " Anomalous Diffusion ...
  • P. Capper and M. Mauk, "Liquid Phase Epitaxy of Electronic, ...
  • _ Kimukin, N. Biyikli and E. Ozbay, "InSb high-speed photodetectors ...
  • M. Razeghi, "Optoelectronic Devices Based on I-V Compound Semiconductoe Which ...
  • J.P. Rosbeck, I. Kasai, R.M. Hoendervoogt, M. Lanir, "High Performance ...
  • C.E. Hurwitz and J.P. Donnelly, "Planar InSb Photodiodes Fabricated by ...
  • R.D. Thom, W.A. Konkel and R.M. Hoendervoogt, "Planar P-N Junctions ...
  • H. Lockwood, "Open-Tube, B enign -Environmen Annealing Method for Compound ...
  • Z. Djuric et al, "Quantum Efficiency and Responsivity of InSb ...
  • S.M. Sze, "Physics of Semiconductor Devices" John Wiley & Sons, ...
  • _ _ _ _ Arrays", Ph. D. dissertation., University of ...
  • _ _ _ for Manufacturing InSb Detectors", EJP-AP, January/(2006). ...
  • Hudson, Jr., "Infrared System Engineering", Wiley Publishing, pp.322, (2006). ...
  • M. Daraee, M. Moradi, M. Hajian, M. Rastgoo, M.A. Forghani, ...
  • نمایش کامل مراجع