رشد لایه کیفی SiO2 برروی بستر InSb در فشار و دمای پایین به منظور ساخت آشکارسازهای مادون قرمز
محل انتشار: شانزدهمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران
سال انتشار: 1388
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,025
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICOPTICP16_010
تاریخ نمایه سازی: 18 تیر 1388
چکیده مقاله:
رشد لایه نازک SiO2 با استفاده از تکنیک رسوب شیمیایی از پلاسمای گاز (PECVD) در دما و فشار پایین به گونه ای که بتوان از آن در ساخت آشکار سازهای فتودیودی آرایه ای ایندیوم آنتیموناید (InSb) استفاده کرد،مورد تاکید ما در این مقاله است. برای این منظور لایه SiO2 رشد داده شده باید متراکم بوده ودارای کمینه بارهای آزاد داخل اکسید و مرز مشترک اکسید نیمه هادی باشد. با استفاده از تنظیم نسبتهای گاز، توان و فشار و به کمک ازمایشاتی SEM,AFM و اندازه گیری نرخ خوردگی و تغییرات ظرفیت خازنی - ولتاژ، کیفیت الکتریکی اکسید را بهینه نماییم.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
محسن مرادی
صنایع قطعات نیمه هادی، صنعت آپتوالکترونیک
محمد دارایی
صنایع قطعات نیمه هادی، صنعت آپتوالکترونیک
مرتضی راستگو
صنایع قطعات نیمه هادی، صنعت آپتوالکترونیک
علی اوسط علیپور
صنایع قطعات نیمه هادی، صنعت آپتوالکترونیک
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :