گاف باند القایی گرافن در شبه نانو بلور فوتونی فیبوناچی

در این بررسی نانو ساختارهای لایه ای فیبوناچی موسوم به نانو بلورهای فوتونی شبه تناوبی شامل نانو لایه های گرافن رابررسی کردیم طیف تراگسیل نانو بلور فتونی شبه متناوب را با بهره گیری از روش ماتریس انتقال بررسی کرده و نشان دادیم که در چنین نانو ساختارها نوع جدیدی از گاف باند فوتونی موسوم به گاف باند القایی گرافن ظاهر میشود که حساس به بعضی از پارامترها مانند پتانسیل شیمیایی نانو لایه گرافن و اتلاف در لایه گرافن و ... میباشد نتایج نشان داد که گاف باند القایی گرافن وابسته به پارامترهای اپتیکی لایه گرافن بوده و با تغییر پتانسیل شیمیایی قابل کنترل میباشد هم چنین تاثیر پارامتر اتلاف در نانو لایه گرافن منجر به تغییر در میزان تراگسیل میشود هرچند که پهنای باند گاف های نانو ساختار را چنداد تحت تاثیر قرار نمیدهد نتایج حاصل از این بررسی در طراحی ادواتاپتیکی بر پایه نانو بلورهای فوتونی گرافنی مفید واقع شوند