مطالعه پدیده کلید زنی و مکانیسم رسانندگی در نیم رساناهای غیر کریستالی با ترکیب P2O5-MoO3-ZnO

سال انتشار: 1396
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 380

متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

CEES01_054

تاریخ نمایه سازی: 11 خرداد 1397

چکیده مقاله:

در این مقاله مکانیسم رسانشی و اثر میدانهای الکتریکی بالا در کلید زنی نیم رساناهای غیر کریستالی ( آمورف ) با ترکیبات کلی P2O5(50%)-MoO3(x%)-ZnO(50-x), x=10,20,30 mol% بررسی شده است. در همه نمونه ها کلیدزنی از نوع حافظه ای مشاهده شد که با افزایش درصد مولی اکسید مولیبدنیم ( کاهش درصد مولی اکسید روی) در ترکیبات، ولتاژ آستانه کلید زنی کاهش مییابد. همچنین افزایش دمای نمونه ها منجر به کاهش ولتاژ آستانه میگردد. پدیده فوق با اثر پول- فرنکل و تشکیل کانال های کریستالی در نیمرسانای آمورف توضیح داده شد.

نویسندگان

مهدی میرزایی

گروه فیزیک، دانشکده فنی و مهندسی، واحد میانه، دانشگاه آزاد اسلامی، میانه، ایران