بررسی ساختار نواری و چگالی حالت ها در ترکیبات (Y=Ga,Ge) UY2 با استفاده از روش شبه پتانسیل
سال انتشار: 1396
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 464
فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
MCIS03_105
تاریخ نمایه سازی: 7 اسفند 1396
چکیده مقاله:
در این مقاله ساختار نواری و چگالی حالت های ترکیبات (Y=Ga,Ge)2UY با استفاده از روش شبه پتانسیل در چارچوب نظریه تابعی چگالی با استفاده از کد محاسباتی کوانتوم اسپرسو انجام شده است. شبه پتانسیل مورد استفاده تحت شرایط فوق نرم ساخته شده و تابعی تبادلی همبستگی آن از نوع GGA-PBE می باشد. نتایج به دست آمده از ساختار نواری و چگالی حالت ها نشان می دهد که این ترکیبات فلز بوده و دارای خاصیت مغناطیسی می باشند که با دیگر داده های موجود سازگاری دارند
کلیدواژه ها:
نویسندگان
حمدا.. صالحی
دانشیار، دانشکده علوم، گروه فیزیک دانشگاه شهید چمران اهواز
فاطمه اسدی
دانشجو، دانشکده علوم، گروه فیزیک دانشگاه شهید چمران اهواز
پیمان امیری
دانشیار، دانشکده علوم، گروه فیزیک دانشگاه شهید چمران اهواز