طراحی و شبیه سازی فین فت دوگیتی نانومتری مبتنی بر تکنولوژهای Si، GaAs و InGaAs

در این مقاله ساختار فین فت دوگیتی-دوماده ای با اتصال گیت شاتکی با underlap بررسی شده است. جریان درین، رسانایی متقابل، رسانایی خروجی، خازن گیت-سورس و فرکانس قطع ترانزیستور برای کاربردهای آنالوگ و فرکانس بالا برای نیمه هادی های Si، GaAs و InGaAs بررسی شده است. بر اساس نتایج شبیه سازی با کاهش طول underlap جریان درین افزایش خواهد یافت. همینطور نتایج شبیه سازی نشان می دهد که برای InGaAs بالاترین جریان درین، بالاترین رسانایی متقابل، بالاترین رسانایی خروجی و بالاترین فرکانس قطع را در ولتاژ گیت کمتر از 0/6 ولت خواهیم داشت. بر اساس نتایج شبیه سازی GaAs بالاترین ضریب تولید رسانایی متقابل را از خود نشان می دهد.

کلیدواژه ها:

فین فت دوگیتی ، طول Underlap ، جریان درین ، فرکانس قطع