مدل تحلیلی پتانسیل کانال در نانو ترانزیستورهای با گیت احاطه شده*در حالت شبه بالستیک بالستیک

در این مقاله، یک مدل تحلیلی جدید از بار کانال و پتانسیل الکتیریکی به منظور تحلیل اثرات بالستیکی بر نانو ترانزیستورهای با گیت احاطه شده ارایه شده است. مدل بار با توجه به رفتار شبه بالستیک حاملها در کانال به دو مولفه تفکیک شده است: یک مولفه بالستیک کامل (هیچ برخورد و پراکندگی در کانال وجود ندارد) و دیگری مولفه نفوذی که در آن الکترونها درگیر برخورد و پراکندگی هستند. این دو مولفه از طریق یک پارامتر بالستیکی که مقدار آن بین 0 و 1 قابل تقییر است به یکدیگر مربوط میشوند. تغییر مقدار این پارامتر موجب مدل کردن بار کانال به طور پیوسته بین رفتار نفوذی تا کاملا بالستیک حامل در این ماسفتها میگردد. سپس با استفاده از توزیع بار بدست آمده و حل معادله پواسون‡، یک مدل تحلیلی برای پتانسیل الکتیریکی کانال استخراج میشود که همانند بار کانال میتواند به طور پیوسته بین رفتار بالستیکی و نفوذی قرار گیرد. نتایج مدلسازی در مقایسه با نتایج حاصل از شبیه سازی از تطابق بسیار خوبی برخوردار است.

کلیدواژه ها:

انتقال بالستیکی ، پتانسیل کانال ، ماسفت با گیت احاطه شده ، مدل سازی قطعه