بهینه سازی قابلیت اطمینان و انرژی سلولSRAM برای کاربردهای IoT

در این مقاله شش ساختار متفاوت سلول SRAM هشت ترانزیستوری از نظر قابلیت اطمینان و توان مصرفیپایین/ انرژی برای کاربردهای (اینترنت اشیاء) IoT با هم مقایسه شدهاند. بیت سلولهای متفاوتی با (ولتاژ آستانه بالا) H-VT و (ولتاژ آستانه استاندارد)S-VT برای بدست آوردن معیارهای سلول SRAM هشت ترانزیستوری بررسی شده است. این مشخصات بررسی شده برای سلول SRAM عبارتند از: (حاشیه نوشتن) WM، (حداقل ولتاژ نگهداری داده) DRV، (حاشیه نویز ایستا نگهداری) HSNM، (حاشیه نویز ایستای خواندن) RSNM، انرژی خواندن_نوشتن، و توان تلفاتی برای دو حالت نشتیپایین و انرژیکم همچنین قابلیت اطمینان برای هر فرآیند بیت سلول از جهت تغییرات دما نیز بررسی شده است. شبی سازیها با تکنولوژی 22 نانومتر CMOS و به کمک نرم افزار Hspice انجام شده است.

کلیدواژه ها:

ولتاژ آستانه استاندارد ، ولتاژ آستانه بالا ، حاشیه نوشتن ، ولتاژ نگهداری داده ، حاشیه نویز ایستا نگهداری ، حاشیه نویز ایستای خواندن ، مونت کارلو ، توان مصرفی پایین