شبیه سازی تمام جمع کننده 8 ترانزیستوری با تکنولوژی های CNTFET & CMOS

در این مقاله ما یک سلول تمام جمع کننده 1 بیتی [1] با 8 ترانزیستور را با تکنولوژی های مختلف شبیه سازی کرده ایم تا به بهترین توان مصرفی و تاخیر زمانی دست یابیم.در این شبیه سازی ها، هم از تکنولوژی های مورد استفاده برای تراتزیستور های CMOS استفاده شده ، و هم شبیه سازی با نسل جدید ترانزیستور های کربن نانو تیوپ انجام شده است .[2]تکنولوژی های استفاده شده 90نانومتر[3,4]،180 نانومتر و 32نانومتر میباشد.با توجه به شبیه سازی ها و نتایج بدست آمده بهترین توان و تاخیر که تقریبا برابر با هم می باشند مربوط به تکنولوژی 90 نانومتر و 32 CNTFET نانومتر می باشد که به ترتیب مقدار 1121,4 میلی وات و 2194,9 میلی وات را دارا می باشند.تمامی شبیه سازی ها با استفاده از نرم افزار TSMC HSPICE انجام شده است.

کلیدواژه ها:

تمام جمع کننده ، CMOS ، CNTFET ، توان ، تاخیر ، بردار کرالیتی ، PDP