Enhanced Photovoltaic Performance of ultrathin Polycrystalline CdS/CdTe Solar Cell via Indium Antimonide Absorber Layer
محل انتشار: دومین کنفرانس بین المللی مهندسی برق
سال انتشار: 1396
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 319
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICELE02_045
تاریخ نمایه سازی: 7 اسفند 1396
چکیده مقاله:
Polycrystalline Cadmium Telluride (CdTe) solar cells offer a compelling combination of low-cost and high device performance. On the other hand, the thickness reduction of CdTe solar cells is highly attractive because of their limited availability and the rising price. Here, using calibrated and validated simulations with experimental data of fabricated CdS/CdTe solar cell, we propose and investigate a novel high-performance ultrathin polycrystalline cadmium sulfide/cadmium telluride (CdS/CdTe) solar cell. The key idea of the proposed structure is the use of an indium antimonide )InSb( absorber layer between cadmium telluride absorber layers, suggests high efficiency because of high photogeneration and low recombination rate. From the investigation, it was found that the conversion efficiency value of proposed ultrathin solar cell increased about 25% compared to that of the reference cell. Under global AM 1.5 conditions, the proposed structure showed the highest conversion efficiency of 22.22% (Jsc = 29.2 mA/cm2, FF = 0.83, Voc = 914 mV).
کلیدواژه ها:
نویسندگان
Malihe Mahoodi
Department of Electrical Engineering, Bahar Institute of Higher Education, Mashahd, Iran
Saeid Marjani
Department of Electrical Engineering, Ferdowsi University of Mashhad, Mashhad, Iran