بررسی روشهای شبیه سازی ادوات تک الکترونی

حسام توسلی; رحیم فائز

بررسی روشهای شبیه سازی ادوات تک الکترونی

محل انتشار: دوازهمین کنفرانس دانشجویی مهندسی برق ایران

سال انتشار: 1388

نوع سند: مقاله کنفرانسی

زبان: فارسی

مشاهده: 1,464

فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

دریافت فایل کامل مقاله

صدور گواهی نمایه سازی
من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

https://civilica.com/doc/69335

شناسه ملی سند علمی:

ISCEE12_225

تاریخ نمایه سازی: 29 اسفند 1387

چکیده مقاله:

ادوات تک الکترونی (Single Electron Devices)برمبانی تونل زدن الکترون در ساختاری با ابعاد نانومتر کار می کنند و قابلیت کنترل جریان در مقیاس یک یا چند الکترون را دارند . ساخت و آزمایش های مدارهای تک الکترونی ، مستلزم تکنولوژی پیشرفته و تجهیزات ویژه ای است که تنها معدودی از آزمایشگاهها قابل دسترسی است. شبیه سازی رایانه ای، زمینه ای مساعد و ارزان فراهم می کند تا سایر مراکز علمی نیز بتوانند در جریان تکنولوژی روز قرار گرفته و در پیشرفت آن نقش داشته باشند شده که درآینده نزدیک با پیشرفت تکنولوژی ساخت، بصورت گسترده ای در مدارهای مجتمع مورد استفاده قرارگیرند. در این مقاله، ابتدا نحوه محاسبه نرخ تونل زدن در یک پیوند تونلی مطرح می شود و سپس روشهای شبیه سازی مدارهای تک الکترونی مورد بررسی قرا ر میگیرد.

کلیدواژه ها:

ادوات تک الکترونی ، شبیه سازی ، مونت کارلو ، معادلات اساسی

نویسندگان

حسام توسلی

دانشکده برق دانشگاه صنعتی شریف

رحیم فائز

دانشکده برق دانشگاه صنعتی شریف

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :

S ingle-Electron ا1 [7] U. Hashim and A. Rasmi, Transistor ...
L.O. Kulik and R.I. Shekhter, "Kinetic phenomena and charge discreteness ...
D.V. Averin and K.K. Likharev, "Single- electronics: Correlated transfer of ...
G. Zardalidis and I.G. Karafyllidis, "SECS: A New S ingl ...
M.Y.A. Ismail and R.A. AbdelRas soul, "A New Fast and ...
N. Allec, R. Knobel and L. Shang, "Adaptive Simulation for ...
M. Troudi, N. Sghaier and A. Boubaker, _ _ Macro ...
S. Mahapatra and A.M. Ionescu, Hybrid CMOS single electron transistor ...
K.K. Likharev, _ S ingle-electron devices and their applications", IEEE ...
D.V. Averin and A.A. Odintsov, "Macroscopic quanum tunneling of the ...
W. Krech and A. Hadicke, "Effects of macroscopic quantum tunneling ...
D.V. Averin and K.K. Likharev, "Possible Applications of the Single ...
C. Wasshuber and H. Kosina, "A single electron device and ...
D.V. Averin and A.N. Korotkov, "Correlated _ ingle-electron tunneling via ...
C.P. Robert and G. Casella, Monte Carlo statistical methods, Springer ...
C. Wasshuber, Computational Sing le-Electronics, Springer Verlag, pp. 48-79, 2001. ...
L.R.C. Fonseca, A.N. Korotkov and K.K. Likharev, "A numerical study ...
M. Fujishima and S. Amakawa, "Single electron simulators for high ...
Conf. Solid State Devices and Materials, pp. 308-309, 1997. ...
Y.S. Yu and H.S. Lee, "SPICE macro -modeling for the ...
R. van de Haar, J. Hoekstra and R.H. Klunder "A ...
M. Kirihara and K. Taniguchi, "Hybrid circuit simulator for combined ...
R.H. Chen, "MOSES: a general Monte Carlo simulator for S ...
L.R.C. Fonseca, A.N. Korotkov and K.K. Likharev, "SENECA: a New ...
C. Wasshuber, H. Kosina and S. Selberherr, "SIMON: a simulator ...

نمایش کامل مراجع