سیویلیکا را در شبکه های اجتماعی دنبال نمایید.

مطالعه تاثیر پارامترهای ساختاری بر مشخصه های الکتریکی افزاره نانو متری Hetero SB PMOS

سال انتشار: 1388
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,194

فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

NANOSC05_153

تاریخ نمایه سازی: 22 اسفند 1387

چکیده مقاله مطالعه تاثیر پارامترهای ساختاری بر مشخصه های الکتریکی افزاره نانو متری Hetero SB PMOS

ترانزیستورهای ماسفت با سورس / درین شاتکی () بدلیل فرایند ساخت آسانتر، عدم نیاز به کاشت سنگین برای سورس/درین، کاهش مشکلات ناشی از خازن پیوندی، تضعیف عملکرد ترانزیستور دو قطبی پارازیتی، تضعیف پدیده قفل شدگی و کاهش اثر تغییرات تصادفی تراکم ناخالصی ها در داخل کانال، گزینه ای جذاب در کوچک سازی ابعاد، در طول گیت زیر 100 نانومتر می باشند.

نویسندگان مقاله مطالعه تاثیر پارامترهای ساختاری بر مشخصه های الکتریکی افزاره نانو متری Hetero SB PMOS

فاطمه کهنی خشکبیجاری

کارشناس ارشد مهندسی برق- الکترونیک - دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران ج

مرتضی فتحی پور

استاد راهنما - دانشگاه تهران- دانشکده فنی-دانشکده مهندسی برق و کامپیو

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
] K.Ikeda, Y .Yamashita, A.Endoh, T.Fukano, K.Hikosava and T.Mimura;، 050nm ...
Y. C. Yeo, V. S ubramanian, J. Kedzierski, P. Xuan, ...
Y. C. Yeo, V. S ubramanian, J. Kedzierski, P. Xuan, ...
DESSIS 7 from ISE TCAD user manual: Device Simulation Software. ...
Douglas J. Paul, Si/SiGe hetero structures : From material and ...
M. Jang, Y. Kim, J. Shin, S. Lee, K. Park, ...
J. Kedzierski, P. Xuan, V. S ubramanian, J. Bokor, T. ...
Christopher W.Leitz, *High Mobility Strained Si/SiGe H etero structure MOSFETs ...
S. Xiong, T. J. King, J. Bokor, "A Comparison Study ...
نمایش کامل مراجع

مقاله فارسی "مطالعه تاثیر پارامترهای ساختاری بر مشخصه های الکتریکی افزاره نانو متری Hetero SB PMOS" توسط فاطمه کهنی خشکبیجاری، کارشناس ارشد مهندسی برق- الکترونیک - دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران ج؛ مرتضی فتحی پور، استاد راهنما - دانشگاه تهران- دانشکده فنی-دانشکده مهندسی برق و کامپیو نوشته شده و در سال 1388 پس از تایید کمیته علمی پنجمین همایش دانشجویی فناوری نانو پذیرفته شده است. کلمات کلیدی استفاده شده در این مقاله هستند. این مقاله در تاریخ 22 اسفند 1387 توسط سیویلیکا نمایه سازی و منتشر شده است و تاکنون 1194 بار صفحه این مقاله مشاهده شده است. در چکیده این مقاله اشاره شده است که ترانزیستورهای ماسفت با سورس / درین شاتکی () بدلیل فرایند ساخت آسانتر، عدم نیاز به کاشت سنگین برای سورس/درین، کاهش مشکلات ناشی از خازن پیوندی، تضعیف عملکرد ترانزیستور دو قطبی پارازیتی، تضعیف پدیده قفل شدگی و کاهش اثر تغییرات تصادفی تراکم ناخالصی ها در داخل کانال، گزینه ای جذاب در کوچک سازی ابعاد، در طول گیت زیر 100 نانومتر می ... . برای دانلود فایل کامل مقاله مطالعه تاثیر پارامترهای ساختاری بر مشخصه های الکتریکی افزاره نانو متری Hetero SB PMOS با 5 صفحه به فرمت PDF، میتوانید از طریق بخش "دانلود فایل کامل" اقدام نمایید.