بهبود بازده سلول خورشیدی CIGS با یک لایه ی جاذب با استفاده از مهندسی ضخامت و چگالی ناخالصی لایه ی جاذب

سال انتشار: 1396
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 453

فایل این مقاله در 9 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ECICONFE01_024

تاریخ نمایه سازی: 8 آذر 1396

چکیده مقاله:

در این مقاله سلول خورشیدی با یک لایه جاذب CuIn0.37Ga0.63Se با استفاده از نرم افزار سیلواکو حل شده است. برای بھبود ساختار سلول خورشیدی، تاثیر ضخامت و چگالی ناخالصی لایه جاذب برای رسیدن به بالاترین مقدار بازده بررسی شده است. با افزایش ضخامت لایه جاذب به ازای ضخامت ھای کمتر از ضخامت اشباع جذب نور، نور بیشتری در این لایه جذب خواھد شد و جریان و بازده سلول خورشیدی افزایش خواھد یافت. به ازای ضخامت ھای بیشتر از ضخامت اشباع جذب سلول خورشیدی، افزایش ضخامت لایه جاذب تاثیری بر جریان سلول خورشیدی ندارد. با افزایش چگالی ناخالصی لایه جاذب، احتمال بازترکیب زوج الکترون-حفره نوری افزایش یافته و در نتیجه جریان نوری سلول خورشیدی کاھش و ولتاژ مدار باز افزایش خواھند یافت.

کلیدواژه ها:

سلول خورشیدی با یک لایه جاذب ، CuIn0.37Ga0.63Se2 ضخامت و چگالی ناخالصی لایه جاذب ، بهبود بازده

نویسندگان

حسین کمری

دانشگاه آزاد اسلامی، واحد دماوند، عمومی الکترونیک، دماوند، ایران

حجت اله خواجه صالحانی

دانشگاه آزاد اسلامی، واحد دماوند، عمومی الکترونیک، دماوند، ایران - مرکز تحقیقات انرژی های تجدیدپذیر، واحد دماوند، دانشگاه آزاد اسلامی، دماوند، ایران