مدل سازى مکانیزم های پیرشدگی برای ترانزیستورهای فین فت

سال انتشار: 1396
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 750

فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ECCONF02_064

تاریخ نمایه سازی: 29 مهر 1396

چکیده مقاله:

طبق پیشبینی مور در سال 1965 بعد از گذشت هر هجده ماه تعداد ترانزیستورهای روی یک تراشه دو برابر می شود. این پیشبینی با کوچک کردن ابعاد ترانزیستور محقق شد. این امر منجر به افزایش عملکرد و سرعت افزارهها و رشد پردازندهها شدهاست. از طرف دیگر با کوچک شدن ابعاد ترانزیستورها و حرکت به سمت تکنولوژیهای نانومتری بروز مشکلات جدیدی عملکرد سیستم را تحت تاثیر قرار میدهد. از جمله این مشکلات میتوان نوسانات فرآیند، خطاهای نرم و پیرشدگی را نام برد. از آنجا که نوسانات پیرشدگی در اثر کارکرد تراشه و افزایش دمای آن است، بنابراین میتوان با طراحی مناسب به نحوی اثر آن را کم کرد. از مهمترین عوامل موثر در پدیده پیرشدگی میتوان به کوچک شدن تکنولوژی ساخت و افزایش دما در سطح تراشه به دلیل افزایش تعداد ترانزیستورها اشاره کرد. از آنجایی که اثرات پیرشدگی و نوسانات ساخت برخلاف خطاهای نرم در تراشه باقی میمانند و بخش عمدهای از آنها قابل ترمیم و بازیابی نیست، وقوع این پدیدهها قابلیت اطمینان تراشه را با چالش جدی روبرو می-کند. مکانیزمهای غالب پدیده پیرشدگی ناپایداری حرارتی بایاس، شکست وابسته به زمان،اثر حامل داغ و مهاجرت الکتریکی هستند. تمامی مدلهای مکانیزم پیرشدگی وابسته به تکنولوژی است. پارامترهای تکنولوژی که تاکنون استخراج شده همه مربوط به تکنولوژی سی- موس 1بوده و اکثرا برای طول گیت بزرگ تر از 32نانومتر بوده است. در حالیکه تکنولوژی به سمت استفاده از فین فت 2در ابعاد زیر 20 نانومتر حرکت کرده است. در این مقاله پس از مطالعه مکانیزمهای مختلف پیرشدگی برای تکنولوژی 14 نانومتر فین فت مدل مداری ناپایداری حرارتی بایاس و شکست وابسته به 3 زمان استخراج شده و اثر این عوامل بر عملکرد ترانزیستور مطالعه میشود. علاوه بر این برای داشتن دید درستی از طول عمر یک افزاره اثر پیرشدگی به طور همزمان با نوسانات ساخت بررسی خواهد شد.

نویسندگان

دنیا آدابی

دانشگاه آزاد اسلامی واحد یزد

محمدرضا شایسته

دانشگاه آزاد اسلامی واحد یزد