بهبود راندمان سلول خورشیدی CdTe/CdS با استفاده از لایه ی انباشت اکسید SnO2 در مقایسه با لایه ی ITO
سال انتشار: 1396
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 687
فایل این مقاله در 9 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ASTCONF01_018
تاریخ نمایه سازی: 17 آبان 1396
چکیده مقاله:
برای افزایش عملکرد سلول خورشیدی معمولا به آن لایه بافر اضافه می کنند. تغییر در جنس و ساختار لایه ی بافر می تواند موجب تغییرات اساسی در راندمان و همچنین سادگی یا پیچیدگی فرآیند ساخت و هزینه های آن باشد. جایگزینی لایه ی اکسید انباشته ی SnO2 به عنوان بافر، به جای روش معمول، یعنی استفاده از لایه یITO )ایندیوم قلع اکسید، - Indium-Tin Oxide ، با فرمول شیمیایی In2O5Sn ( از جنبه های نو این پژوهش می باشد. با پیاده سازی سلول خورشیدی در نرم افزار کامسول و لحاظ معادلات ماکسول با پهنای نمونه ی، این سلول در مجاورت لایه ی بافر SnO2 به خروجی ولتاژی به میزان حدودا 65 / 0 ولت منتهی شد که در مقایسه با خروجی ولتاژ 44 / 0 ولت به ازای بهره گیری از لایه ی بافر ITO ، افزایش راندمان حدودا 40 % بدست آمد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
مهدی کردی
دانشجوی کارشناسی ارشد، دانشکده برق الکترونیک، دانشگاه آزاد اسلامی واحد آشتیان، ایران
حسین سرآبادانی
استادیار، دانشکده برق الکترونیک، دانشگاه آزاد اسلامی واحد آشتیان، ایران
شعبان رضایی برجلو
استادیار، دانشکده برق الکترونیک، دانشگاه آزاد اسلامی واحد آشتیان، ایران