ارایه و بررسی مدل تحلیلی برای تونل زنی خط و نقطه در ترانزیستور تونلی اثر میدانی
محل انتشار: اولین کنفرانس بین المللی فناوری های نوین در علوم
سال انتشار: 1396
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 513
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
CMTS01_097
تاریخ نمایه سازی: 17 آبان 1396
چکیده مقاله:
در بین ساختارهای ترانزیستوری جدید، ساختارهای ترانزیستور FinFET بیشتر به علت ساختار سادهتر و فرآیندساخت ارزانتر مورد توجه قرار گرفته است ترانزیستور تونل اثر میدانی ) TFET ( یک گزینه امیدوار کننده برای جانشینی MOSFET در ابعاد نانومتر است. به طور کلی، جریان TFET را می توان به دو جزء تونل زنی نقطه و تونل زنی خط تجزیهکرد. در این مقاله یک مدل تحلیلی فشرده برای جریان با توجه به تونلزنی نقطه ارایه می کنیم. سه پارامتر کلیدی برای طراحی یک TFET عبارتند از: شکاف باند، ضریب دی الکتریک و سطح داپینگ منبع. تونل زنی نقطه و تونل زنی خط وابستگی قوی به ضخامت دی الکتریک و غلظت داپینگ دارند.
کلیدواژه ها:
ترانزیستور تونل اثر میدانی ، ماسفت ، تونل زنی نقطه ، تونل زنی خط ، شکاف باند ، ضریب دی الکتریک ، سطح داپینگ
نویسندگان
دنیا آدابی
گروه برق، دانشکده فنی و مهندسی، واحد یزد، دانشگاه آزاد اسلامی، یزد، ایران
محمدرضا شایسته
استاد گروه برق، دانشکده فنی و مهندسی ، واحد یزد، دانشگاه آزاد اسلامی، یزد ، ایران
آرشام بلیوانی اردکانی
گروه برق، دانشکده فنی و مهندسی ، واحد یزد، دانشگاه آزاد اسلامی، یزد ، ایران