طراحی DG-PNIN TFET و بررسی پارامتر های مختلف موثر در کارایی آن
محل انتشار: هفتمین کنفرانس ملی مهندسی برق و الکترونیک ایران
سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 499
فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEEE07_303
تاریخ نمایه سازی: 19 اردیبهشت 1395
چکیده مقاله:
از آنجا که یکی از مسائل مطرح در ترانزیستور های TFET جریان کم در حالت روشن می باشد،در این مقاله با قرار دان یک لایه با چگالی بالا در کانال در نزدیکی ناحیه سورس، عرض ناحیه تخلیه کاهش یافته و موجب بهبود جریان حالت روشنی و شیب زیر آستانه می شود. به طوریکه با این کار جریان حالت روشنی حدود 102 بهبود می یابد. علاوه براین، اثر تغییر پارامتر ها از قبیل تغییر عرض لایه چگالی بالا، دوپینگ نواحی سورس و درین بر جریان حالت روشنی ، و همچنین تاثیر دما بر عملکرد ترانزیستور بررسی شده است. علاوه بر این با تغییر نوع دوپینگ ناحیه درین از نوع یکنواخت به نوع گوسین، تونل زنی کاهش می یابد.
کلیدواژه ها:
ترانزیستور تونلی اثر میدان (DG-TFET) ، جریان حالت روشنی (Ion) ، دوپینگ گوسین (DG) ، لایه با چگالی بالا (HDL)
نویسندگان
مینا مهاجری
دانشجو کارشناسی ارشد، دانشکده برق و کامپیوتر دانشگاه شهید بهشتی تهران،ایران
علیرضا حسن زاده
استادیار دانشکده برق و کامپیوتر دانشگاه شهید بهشتی تهران، ایران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :