بهبود اثرات کانال کوتاه در ترانزیستور موبیلیتی بالا مبتنی بر InGaAs/InAlAs
محل انتشار: کنفرانس بین المللی تحقیقات بنیادین در مهندسی برق
سال انتشار: 1396
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 709
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEEC01_398
تاریخ نمایه سازی: 17 آبان 1396
چکیده مقاله:
با پیشرفت نانو ترانزیستورهای نسل جدید با استفاده از ترکیبات گروههای 3 و 5 جدول تناوبی پارامترهای فیزیکی و الکتریکی تا حد زیادی ارتقاء پیدا کرده است.در این مقاله اثر تغییرات نسبت مولی کانال ترانزیستورHEMT با استفاده از ترکیبات گروه 3 و 5 و بر پایه InGaAs/InAlAs در مشخصه های ترانزیستور مورد بررسی قرار گرفته است. اثر تغییرات نسبت مولی در لایه های مختلف ترانزیستور طراحی شده بررسی و نتایج توسط شبیه ساز سیلواکو راستی آزمایی شده است. همچنین با تغییرات مولی لایه های مختلف بهبود عملکرد ترانزیستور در افزایش ماکزیمم جریان خروجی (ID)، کاهش اثرات کانال کوتاه و دیگر مشخصه های ACوDC ترانزیستور مشاهده گردید. همچنین یک نمونه ترانزیستور DG-HEMT با ساختاری مشابه طراحی شده و با تغییرات نسبت مولی کانال و اسپیسر ترانزیستور مشخصه های خروجی آن مورد بررسی و بهینه ترین نقطه کار استخراج گردید. ساختارهای چندگیتی تاثیر بسیار زیادی در بهبود عملکرد نسبت به ترانزیستور SG-HEMT با همان ترکیب را نشان می دهد که برای کاربردهای سوییچ زنی و فرکانس بالا مانند میکسرها ،LNA ها و... مناسب به نظر می رسد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
مهسا غمزه
گروه الکترونیک، دانشکده فنی و مهندسی، واحد علوم و تحقیقات ، دانشگاه آزاد اسلامی، بجنورد ،ایران
سیدابراهیم حسینی
استاد گروه برق الکترونیک، دانشکده مهندسی، دانشگاه فردوسی ، مشهد ،ایران
مجتبی میرحسینی
گروه الکترونیک ، دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه سیستان و بلوچستان،زاهدان،ایران