لایه نشانی تک مرحله ای CH3NH3PbI2به منظور استفاده در ساخت سلول خورشیدی نانوساختار

در ساخت سلول خورشیدی پروسکایتی لایه ای، این کار می تواند توسط لایه نشانی چرخشی یک یا دو مرحله ای صورت پذیرد. معمولا روش دو مرحله ای نسبت به روش تک مرحله ای بازده و هزینه بالاتری دارد که به دلیل کیفیت بهتر لایه پروسکایتی می باشد. اخیرا DMSO به عنوان کمک حلال در محلول GBL در روش لایه نشانی تک مرحله ای مورد استفاده قرار گرفته و بوسیله تولوین شسته گردیده تا از حلال خلاص شده و به اصطلاح یک فاز میانی از MAI-PbI2-DMSO در سلول خورشیدی پروسکایتی که منجر به افزایش بازده گردیده، ایجاد شود. اما در این روش فاز میانی پروسکایتی با پراش اشعه x قابل شناسایی نبوده و دارای قابلیت تکرارپذیری ضعیفی می باشد. در این مقاله ساخت تک مرحله ای و تکرارپذیر لایه پروسکایتی با استفاده از ترکیب بازی اضافی لوییسPbI2 بررسی شده است. از این روش می توان در ساخت سلول خورشیدی پروسکایتی تک مرحله ای با بازده بالا استفاده کرد. از آنالیز XRD برای بررسی ساختار بلورین و آنالیزهای FESEM برای بررسی ساختار ریز لایه پروسکایتی استفاده شده است. این آنالیزها نشان می دهند که روش تک مرحله ای با استفاده از اسید و باز لوییس می تواند لایه یکنواخت بلورین با حفره کمتر ایجاد کند که پتانسیل بالایی در ساخت سلول خورشیدی پروسکایتی دارا می باشد. اما برای دست یابی به بهترین حالت باید شرایط ساخت بهینه گردند.