کمانش غیرموضعی نانوسیم ها تحت میدان مغناطیسی

در این مقاله کمانش نانوسیمها در ابعاد مختلف و در فضای سه بعدی بررسی شده است. نانوسیم تحت میدان مغناطیسی قرار دارد. معادلات حاکم بر نانوسیم تحت تیوری تیر تیموشنکو میباشد. معادلات حاکم توسط معادلات نیروی لورنتس و تیوری گورتین مورداچ تکمیل شده است. معادلات نهایی توسط تیوری ارینگن به صورت غیرموضعی تبدیل و تحلیل شده است. نتایج بدستآمده نشان میدهد با افزایش قطر نانوسیم مقدار بار کمانش بحرانی افزایش مییابد. همچنین افزایش پارامتر مقیاس کوچک باعث کاهش مقدار بار کمانش بحرانی میشود.

کلیدواژه ها:

کمانش ، نانوسیم ، میدان مغناطیسی ، تیوری تیر تیموشنکو ، تیوری گورتین مورداچ ، تیوری ارینگن و نیروی لورنتس