شبیه سازی و تجزیه تحلیل MOSFET SiGe با نرم افزار COMSOL برای کاربردهای توان و دمای بالا

در این مقاله طراحی و شبیه سازی ترانزیستور MOSFET SiGe با نرم افزار COMSOL انجام شده است . اول یک ترانزیستور MOSFET در تکنولوژی 180 میکرون با مواد سیلیکون ساخته شده و سپس همان ترانزیستور را با مواد SiGe با درصدهای مختلف ساخته و تحت آزمایش قرار گرفته شد. همان طور که از نتایج حاصله مشخص می باشد تاثیر مقدار x که از رابطه یک مقدار ترکیب ناخالصی در ترانزیستور SiGe بیان شده ، هر چه قدر مقدار x بیشتر شود ولتاژ آستانه ترانزیستور مذکور بزرگ تر می شود. استفاده از SiGe در ترانزیستور های با مقیاس نانو باعث شده که بتوان ولتاژ آستانه را به دلخواه بر اساس کاربرد خاص انتخاب کرد. به خاطر قابلیت حرارتی SiGe نسبت به Si از این ترانزیستور در کاربرد هایی که توان و دمای کاری بسیار زیاد می باشد بیشتر استفاده شده و قابلیت ثابت نگهداشتن پارامترهای ترانزیستور را در دماهای مختلف نسبت به استفاده از سیلیکون به تنهایی را بیشتر می کند

کلیدواژه ها:

MOSFET ، SiGe ، ، Band Gap ، COMSO ، FBE