طراحی یک تقویت کننده توان MMIC با مدل دو گیت Anglove ترانزیستور Hemt- GaN

سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 385

فایل این مقاله در 14 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ECIE02_004

تاریخ نمایه سازی: 4 مهر 1396

چکیده مقاله:

تقویت کننده های توان یک بخش کلیدی در هر فرستنده هستند ، که پرمصرف ترین بلوک فرستنده می باشند. کاهش این توان مصرفی و افزایش راندمان در دهه اخیر بسیار مورد توجه بوده است. در این مقاله مابه طراحی یک تقویت کننده توان MMIC با مدل دو گیت Angloveترانزیستور HEMT-GaN می پردازیم . در نرم افزار ADS مدلی برای تکنولوژی نیترید گالیم ارایه نشده است و مدل ترانزیستور این شرکت ها در ایران وجود ندارد .پس در ابتدای هر طراحی نیاز مبرم به داشتن یک نمونه مدل کامل ترانزیستور نیترید گالیم احساس می شود.ما در این مقاله با استخراج حداقل 70پارامتر ترانزیستورتوان نیترید گالیم و با استفاده از مدل آنگلاو موجود در ADS یک قطعه کتابخانه ای می سازیم و تمامی آزمایشات لازم را روی آن انجام می دهیم.

نویسندگان

سپیده محمدی

دانشجوی کارشناسی ارشد ، گروه برق ، واحد آشتیان ، دانشگاه آزاد اسلامی ، آشتیان ، ایران

شعبان رضایی برجلو

استاد یار ، گروه برق ، واحد آشتیان ، دانشگاه آزاد اسلامی ، آشتیان ، ایران