تحلیل اثر دما بر چگالی جریان استانه و پاسخ زمانی لیزر ابشار کوانتومی با ساختار GaAs/AlGaAs
محل انتشار: کنفرانس ملی نانو ساختارها،علوم و مهندسی نانو
سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 627
فایل این مقاله در 14 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NCNNN01_109
تاریخ نمایه سازی: 4 مهر 1396
چکیده مقاله:
در این مقاله ابتدا لیزر آبشار کوانتومی با ساختار GaAs/AlGaAs شبیه سازی شده و اثر دما بر مشخصات خروجی آن همانند جریان آستانه، گین و توان خروجی مورد بررسی قرار گرفته است. سپس وابستگی دو پارامتر پاسخ فرکانسی و پاسخ زمانی به دما در لیزر آبشار کوانتومی تحلیل گردیده است . نتایج حاصل نشان از وابستگی شدید پاسخ فرکانسی به جریان تزریقی و چگالی جریان آستانه به دما دارد. با افزایش دانه جریان تزریقی و دما پاسخ فرکانسی و توان خروجی افزایش می یابد در نتیجه شرایط وارونگی حامل ها بهبود و سرعت یافته و زمان آستانه پاسخ دهی لیزر کاهش می یابد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
امین برنا
گروه الکترونیک، پردیس علوم و تحقیقات دماوند، دانشگاه آزاد اسلامی دماوند ایران تهران
حجت اله خواجه صالحانی
استادیار گروه الکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد دماوند ایران تهران