مطالعه ی محاسباتی جذب مولکول CO در نانولوله ی BeO خالص و دارای ناخالصی B به روش DFT

دراین پژوهش با بهره گیری از نظریه تابع چگالی DFT روش B3LYP و سری پایه 6-31G اثر جذب مولکول CO را روی نانولوله های تک دیواره آرمچیر 4 و 4 BeO دوپه شده با اتم B مورد بررسی قرار داده ایم. باتوجه به روند تغییرات در فاصله بین اوربیتال های HOMO و LUMO مدل های مورد مطالعه می توان نتیجه گرفت که با افزایش ناخالصی B در نانولوله رسانایی الکتریکی افزایش می یابد این در حالی است که در مدل های B dope O رسانایی بیشتری دیده می شود.نتایج جدول جذب سطح نشان می دهد بیشترین می دهد جذب سطحی در مدل B dope O CO-Attached و کمترین میزان جذب سطح در مدل خالص دیده می شود.

کلیدواژه ها:

نانولوله BeO ، روش تابعی چگالی ، جذب سط ی ، ناخالصی B