یک تمام جمع کننده سرعت بالا و ولتاژ پایین بهینه شده با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدان نانو نوار گرافینی GNRFET

این مقاله یک سلول تمام جمع کننده یک بیتی مبتنی بر ترانزیستور اثر میدان نانو نوار گرافینی GNRFET سرعت بالا و با کارایی بالا برای کاربردهای ولتاژ پایین ارایه شده است. سلول تمام جمع کننده پیشنهاد شده براساس اصلاح تمام جمع کننده 28 ترانزیستوری CMOS میباشد که سیگنالهای Sum و outC را به شیوه ای سری تولید میکند و دارای 24ترانزیستور میباشد. این طرح از ویژگی های منحصر به فرد GNRFET های شبه MOSFET برای دستیابی به عملکرد بالا بهره می گیرد. شبیه سازی ها با استفاده از HSPICE Synopsys با فن آوری های 16nm-CMOS و 16nm-GNRFET انجام شده اند. نتایج شبیه سازی برتری طراحی پیشنهادی از نظر سرعت و حاصلضرب تاخیر در توان( PDP ) را در مقایسه با سلول تمام جمع کننده کلاسیک مبتنی بر CMOS نشان می دهد.

کلیدواژه ها:

سلول تمام جمع کننده یک بیتی ، ترانزیستور اثر میدان نانو نوار گرافینی (GNRFET ) ، حاصلضرب تاخیر در توان( PDP) ، ولتاژ پایین ، ادوات نانو