یک XOR جدید با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدان نانو لوله کربنیبرای کاربردهای ولتاژ پایین و توان پایین

از آنجایی که اتلاف توان پویا در CMOS متناسب با 2Vdd است، عملکرد ولتاژ پایین مدار یک مسیله مهم میباشد. در این مقاله، یک XOR جدید ولتاژ پایین پیشنهاد شده است که با استفاده از ترانزیستور های اثر میدان نانو لوله کربنی ( CNTFET ) پیاده سازی شده است. XOR پیشنهادی میتواند در مدارات جمع کننده استفاده شود. اهداف طراحی اصلی برای این مدار جدید، اتلاف توان کم و سویینگ ولتاژ کامل در یک ولتاژ تغذیه کم 0.8 Vdd= V میباشد. چندین مدار XOR به طور کامل با استفاده از HSPICE با تکنولوژی 32nm CMOS و 32nm CNTFET در یک ولتاژ تغذیه کم شبیه سازی شده اند. مدار XOR پیشنهادی با مدارهای قبلا شناخته شده مقایسه شده و عملکرد ممتاز آن نشان داده شده است. شبیه سازی ها نشان میدهند که XOR ولتاژ پایین جدید، تلفات توان کمتر و حاصلضرب تاخیر در توان( PDP ) کوچکتری در مقایسه با سایر مدارات XOR قبلی دارد.

کلیدواژه ها:

مدارهای تمام جمع کننده ، XOR ، ترانزیستور اثر میدان نانو لوله کربنی CNTFET ، سویینگ ولتاژ کامل ، حاصلضرب تاخیر در توان PDP