ناشر تخصصی کنفرانس های ایران

لطفا کمی صبر نمایید

Publisher of Iranian Journals and Conference Proceedings

Please waite ..
ناشر تخصصی کنفرانسهای ایران
ورود |عضویت رایگان |راهنمای سایت |عضویت کتابخانه ها
عنوان
مقاله

بلور فوتونیکی یک بعدی شامل مواد تک منفی با سه لایه در سلول واحد

سال انتشار: 1387
کد COI مقاله: ICOPTICP15_153
زبان مقاله: فارسیمشاهده این مقاله: 975
فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

خرید و دانلود فایل مقاله

با استفاده از پرداخت اینترنتی بسیار سریع و ساده می توانید اصل این مقاله را که دارای 5 صفحه است به صورت فایل PDF در اختیار داشته باشید.
آدرس ایمیل خود را در کادر زیر وارد نمایید:

مشخصات نویسندگان مقاله بلور فوتونیکی یک بعدی شامل مواد تک منفی با سه لایه در سلول واحد

عبدالرحمن نامدار - گروه فیزیک دانشگاه تربیت معلم آذربایجان
غفور خالندی - گروه فیزیک دانشگاه تربیت معلم آذربایجان

چکیده مقاله:

دراین مقاله ویژگی های گافهای باند دریک بلور فوتونیکی یک بعدی سه لایه ای سه لایه درهر تناوب شامل مواد اپسیلون - منفی . مو - منفی ومعممولی بررسی می شود نشان می دهیم که با افزایش ضخامت لایه معمولی هردولبه گاف فازصفرولیه بالایی گاف زاویه ای به بسامدهای پایین ترجابجا می شوند همچنین مطالعات ما نشان می دهد که لبه بالایی گاف زاویه ای با افزایش زاویه تابش به بسامدهای بالاتر انتقال می یابد درصورتی که درمورد گاف فاز صفر یکی از لبه ها مستقل اززاویه تابش است وجابجایی لبه دیگر آن با افزایش زاویه تابش به ضخامت لایه معمولی بستگی دارد .

کلیدواژه ها:

کد مقاله/لینک ثابت به این مقاله

کد یکتای اختصاصی (COI) این مقاله در پایگاه سیویلیکا ICOPTICP15_153 میباشد و برای لینک دهی به این مقاله می توانید از لینک زیر استفاده نمایید. این لینک همیشه ثابت است و به عنوان سند ثبت مقاله در مرجع سیویلیکا مورد استفاده قرار میگیرد:

https://civilica.com/doc/65087/

نحوه استناد به مقاله:

در صورتی که می خواهید در اثر پژوهشی خود به این مقاله ارجاع دهید، به سادگی می توانید از عبارت زیر در بخش منابع و مراجع استفاده نمایید:
نامدار، عبدالرحمن و خالندی، غفور،1387،بلور فوتونیکی یک بعدی شامل مواد تک منفی با سه لایه در سلول واحد،پانزدهمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران،اصفهان،https://civilica.com/doc/65087

در داخل متن نیز هر جا که به عبارت و یا دستاوردی از این مقاله اشاره شود پس از ذکر مطلب، در داخل پارانتز، مشخصات زیر نوشته می شود.
برای بار اول: (1387، نامدار، عبدالرحمن؛ غفور خالندی)
برای بار دوم به بعد: (1387، نامدار؛ خالندی)
برای آشنایی کامل با نحوه مرجع نویسی لطفا بخش راهنمای سیویلیکا (مرجع دهی) را ملاحظه نمایید.

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :

  • R. A. Shelby, D. R. Smith, S. Schultz, Experimerntal Verification ...
  • A. Namdar, Tamm states in _ e-dimersiona l photoric crystals ...
  • A. Namdar, S. Roshan Entezar, H. Tajalli, Z. Eyni, Backward ...
  • L. G. Wang, H. Chen, S. Y. Zhu, Orn idirectiorual ...
  • M. Z. Ali, and T. Abdullah, Properties of the angular ...
  • L. _ Wang, H. Chen, S. Y. Zhu, Wave propagation ...
  • L. Gao, C. J. Tang, S. M. Wang, Photonic _ ...
  • H. Jiang, H. Chen, H. Li, Y. Zhang, J. Zi, ...
  • مدیریت اطلاعات پژوهشی

    صدور گواهی نمایه سازی | گزارش اشکال مقاله | من نویسنده این مقاله هستم

    اطلاعات استنادی این مقاله را به نرم افزارهای مدیریت اطلاعات علمی و استنادی ارسال نمایید و در تحقیقات خود از آن استفاده نمایید.

    علم سنجی و رتبه بندی مقاله

    مشخصات مرکز تولید کننده این مقاله به صورت زیر است:
    نوع مرکز: دانشگاه دولتی
    تعداد مقالات: 3,265
    در بخش علم سنجی پایگاه سیویلیکا می توانید رتبه بندی علمی مراکز دانشگاهی و پژوهشی کشور را بر اساس آمار مقالات نمایه شده مشاهده نمایید.

    مقالات مرتبط جدید

    به اشتراک گذاری این صفحه

    اطلاعات بیشتر درباره COI

    COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

    کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.

    پشتیبانی