استفاده از ترانزیستورهای نانو کربنی برای کاهش توان مصرفی و تاخیر در تقسیم کننده ها

امروزه نانوکربن ها بخاطر توانایی منحصر به فردشان از جمله ابعاد کوچک، سرعت زیاد و توان مصرفی پایین توجه بسیاری ازدانشمندان را در به استفاده از آنها در طراحی مدارها جلب کرده است. ترانزیستورهای اثر میدانی که با استفاده از نانو لوله های تکبعدی نیمه رسانا ساخته می شوند، در مقایسه با ترانزیستورهای سیلیکونی دارای سرعت و توان مصرفی و PDP بهتر می باشند همینویژگی ها باعث شده است که استفاده از این ترانزیستورها منجر به ارایه مدارهای بهینه تر نسبت به مدارهای نسل گذشته گردد. ازجمله این مدارها می توان به تقسیم کننده ها اشاره کرد که نقش مهمی در طراحی های مدارهای پیچیده تر دارد. در این مقاله مروری برکارهای گذشته در استفاده از این فنآوری در طراحی مدارهای پایه و علی الخصوص تقسیم کننده ها صورت گرفته است.

کلیدواژه ها:

ترانزیستور میدانی ، نانو کربن ، تقسیم کننده ، توان مصرفی