ناشر تخصصی کنفرانس های ایران

لطفا کمی صبر نمایید

Publisher of Iranian Journals and Conference Proceedings

Please waite ..
CIVILICAWe Respect the Science
ناشر تخصصی کنفرانسهای ایران
عنوان
مقاله

طراحی یک سلول جدید حافظه از نوع 7 ترانزیستوری با پارامتر RSNM بهبود یافته، مناسب برای کاربردهای توان پایین

سال انتشار: 1395
کد COI مقاله: ICCSE01_136
زبان مقاله: فارسیمشاهد این مقاله: 79
فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

خرید و دانلود فایل مقاله

با استفاده از پرداخت اینترنتی بسیار سریع و ساده می توانید اصل این مقاله را که دارای 7 صفحه است به صورت فایل PDF در اختیار داشته باشید.
آدرس ایمیل خود را در کادر زیر وارد نمایید:

مشخصات نویسندگان مقاله طراحی یک سلول جدید حافظه از نوع 7 ترانزیستوری با پارامتر RSNM بهبود یافته، مناسب برای کاربردهای توان پایین

افشین فرزانه - دانشکده مهندسی برق، واحد نجف آباد، دانشگاه آزاد اسلامی، نجف آباد، ایران
هومان فرخانی - دانشکده مهندسی برق، واحد نجف آباد، دانشگاه آزاد اسلامی، نجف آباد، ایران

چکیده مقاله:

حافظه های SRAM در کاربرد های فراوانی همانند حافظه های کش (Cache) و به طور کلی حافظه های نزدیک به CPU مورد استفاده قرار میگیرند. طراحی این حافظه ها و توجه به پارامترهای مهم و اساسی این حافظه ها به دلیل کاربرد فراوان، بسیار مهم می باشد. سلول 7 ترانزیستوریارایه شده در این مقاله، دارای دو مسیر متفاوت برای عملیات خواندن و نوشتن است که باعث افزایش قابل توجه پارامتر RSNM شده است. این سلول با فضای اشغالی مناسب و در تکنولوژی PTM 65nm CMOS شبیه سازی شده است. بر اساس نتایج شبیه سازیهای انجام شده در نرم افزار Hspice، پارامتر RSNM در سلول پیشنهادی به اندازه 2.1X نسبت به سلول 7 ترانزیستوری بهبود یافته است. همچنین با انتخاب سایزنامتقارن برای ترانزیستورهای بالاکش و پایین کش و اعمال بایاس بدنه به ترانزیستور دسترسی، پارامتر WM0 به اندازه 1.11X بهبود یافته است. در نهایت مصرف توان استاتیک سلول پیشنهادی به میزان 7.61X نسبت به بهترین سلول 7 ترانزیستوری قبلی کاهش یافته است.

کلیدواژه ها:

توان كم، سلول حافظه SRAM، سايز نامتقارن، حاشيه نويز استاتيك خواندن، تغييرات پروسس

کد مقاله/لینک ثابت به این مقاله

برای لینک دهی به این مقاله می توانید از لینک زیر استفاده نمایید. این لینک همیشه ثابت است و به عنوان سند ثبت مقاله در مرجع سیویلیکا مورد استفاده قرار میگیرد:

https://civilica.com/doc/648288/

نحوه استناد به مقاله:

در صورتی که می خواهید در اثر پژوهشی خود به این مقاله ارجاع دهید، به سادگی می توانید از عبارت زیر در بخش منابع و مراجع استفاده نمایید:
فرزانه، افشین و فرخانی، هومان،1395،طراحی یک سلول جدید حافظه از نوع 7 ترانزیستوری با پارامتر RSNM بهبود یافته، مناسب برای کاربردهای توان پایین،کنفرانس بین المللی مهندسی و علوم کامپیوتر،نجف آباد،،،https://civilica.com/doc/648288

در داخل متن نیز هر جا که به عبارت و یا دستاوردی از این مقاله اشاره شود پس از ذکر مطلب، در داخل پارانتز، مشخصات زیر نوشته می شود.
برای بار اول: (1395، فرزانه، افشین؛ هومان فرخانی)
برای بار دوم به بعد: (1395، فرزانه؛ فرخانی)
برای آشنایی کامل با نحوه مرجع نویسی لطفا بخش راهنمای سیویلیکا (مرجع دهی) را ملاحظه نمایید.

مدیریت اطلاعات پژوهشی

صدور گواهی نمایه سازی | گزارش اشکال مقاله | من نویسنده این مقاله هستم

اطلاعات استنادی این مقاله را به نرم افزارهای مدیریت اطلاعات علمی و استنادی ارسال نمایید و در تحقیقات خود از آن استفاده نمایید.

علم سنجی و رتبه بندی مقاله

مشخصات مرکز تولید کننده این مقاله به صورت زیر است:
نوع مرکز: دانشگاه آزاد
تعداد مقالات: 8,897
در بخش علم سنجی پایگاه سیویلیکا می توانید رتبه بندی علمی مراکز دانشگاهی و پژوهشی کشور را بر اساس آمار مقالات نمایه شده مشاهده نمایید.

مقالات مرتبط جدید

به اشتراک گذاری این صفحه

اطلاعات بیشتر درباره COI

COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.

پشتیبانی