مطالعه اثر بازپخت بر خواص الکتریکی لایه های نازک CdS

برای آنالیز ساختار شبکه لایه های نازک CdS که به روش تبخیر گرمایی در دمای اتاق تهیه شده از پراش اشعه ایکس (XRD) استفاده شده است . اثر بازپخت در مجاورت هوا بر ساختار شبکه در دماهای 100، 150، 200 و ˚300C بررسی و با لایه های بدون بازپخت مقایسه شده است . و برای لایه ها ساختار شش گوش با جهت رشد ( 002 ) مشاهده میشود. ساختار کریستالی، مشخصهی جریان ولتاژ در تاریکی، اثر دما بر رسانندگی در تاریکی و همچنین فوتورسانایی بصورت تابع از دمای بازپخت در مجاورت دما بررسی شد. مقاومت ویژه در رنج 0/375-25 Ωcm در دمای اتاق اندازهگیری شد. که کمترین مقدار در دمای ˚150C مشاهده شد.