طراحی یک تقویت کننده عملیاتی در تکنولوژی نانولوله های کربنی

این مقاله، یک تقویت کننده ی عملیاتی به وسیله ی ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله ی کربنی تک دیواره در تکنولوژی 32نانومتر طراحی شده است. این تقویت کننده با استفاده از مدل متداول تقویت کننده ی عملیاتی طراحی و عملکرد آن به وسیله ی تغییر تعدادو فاصله های نانولوله ها در CNTFET بهبود داده شده و دیگر پارامترهای طراحی مطابق با مدل استاندارد جهانی CNTFET درنظرگرفته شده است. شبیه سازی بر مبنای ارزیابی اثر افزایشی نانولوله ها در ناحیه ی کانال صورت گرفته و بهبود تدریجی تمامیمشخصه ی عملکردی پارامترها در تقویت کننده های CNTFET را نشان می دهد. بر مبنای شبیه سازی های صورت گرفته و نتایج حاصل از آن، تقویت کننده ی عملیاتی نانولوله ی کربنی پیشنهادی نوید بخش پیاده سازی مدارات آنالوگی در مقیاس نانو می باشد.

کلیدواژه ها:

تقویت کننده ی عملیاتی ، نانولوله ی کربنی