مقاومت تفاضلی منفی در سیم های مولکولی

در این مقاله ترابرد الکتریکی از طریق یک زنجیره کربنی با دو قطعه گرافنی در اتصال با دو الکترود فلزی بررسی می شود. سیستم با استفاده از هامیلتونی بستگی قوی تک نواری توصیف شده و رسانندگی الکتریکی توسط فرمول لانداور و روش تابع گرین در فضای حقیقی محاسبه شده است. منحنی های مشخصه جریان ولتاژ مقاومت تفاضلی منفی از خود نشان می دهند که ناشی از ویژگی های خاص طیف عبور الکترونها می باشد. با افزایش طول مولکول رسانش الکتریکی کاهش می یابد. علاوه براین با اعمال ولتاژ گیت می توان رسانش الکتریکی از طریق این مولکول را کنترل کرد. نتایج نشان می دهد که ساختار مولکولی کذکور همانند دیود رفتار می کند.