لایه ناشنی و رشد سیم های ZnO در دمای پخت پایین

سال انتشار: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,555

متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

CMC09_170

تاریخ نمایه سازی: 6 دی 1387

چکیده مقاله:

فلز Zn به روش PVD با تبخیر حرارتی بر روی زیرلایه های شیشه ای و همچنین سیلیکون در دمای اتاق لایه نشانی شد. سپس لایه های حاصل تحت شار اکسیژن 0/03 لیتر بر دقیقه، در دماهای 450-600 درجه سانتیگراد و بازه زمانی 4-1 ساعت بازپخت گردیدند. تصاویر SEM نشان می دهند که نانوساختارهای ZnO شامل نانوشانه ها، نانوسرخس ها، نانومیله ها و نانوسیم های ZnO رشد کرده اند. سازوکار حاکم بر رشد نانوساختارهای ZnO سازوکار بخار-جامد (VS) می باشد. با افزایش دما و زمان بازپخت طول نانوسیم های حاصله افزایش یافته است. حضور شار اکسیژن تاثیر مستقیم بر رشد نانوسیم ها داشته است. تصاویر SEM نشان میدهند زیرلایه مورد استفاده نقش چندانی در رشد این نانوساختارها ایفا نمی نماید. آنالیز EDX نشان می دهد نمونه ها به طور کاملا خالص، فقط شامل عناصر Zn و O باشند.

نویسندگان

فاطمه سنگ قلعه

گروه فیزیک دانشکده علوم دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی