تاثیر غلظت یو نهای مغناطیسی و ولتاژ اعمالی در زمان تون لزنی وابسته به اسپین در نانوساختارهای چند لایه ای ZnMn/ZnMnSe/ZnMn/ZnMnSe/ZnMn
محل انتشار: نهمین کنفرانس ماده چگال
سال انتشار: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,281
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
CMC09_149
تاریخ نمایه سازی: 6 دی 1387
چکیده مقاله:
در این مقاله زمان تون لزنی وابسته به اسپین در ساختارهای ناهمگن متقارن ZnSe / ZnMnSe / ZnSe / ZnMnSe / ZnSe در میدان مغناطیسی ثابت تحت تاثیر میدا نهای الکتریکی و غلظت های متفاوت Mn به طور نظری بررسی م یشود. لایه های ZnMnSe در میدان مغناطیسی به صورت فیلتر اسپینی عمل می کنند. غلظت یون های مغناطیسی و میدان مغناطیسی خارجی و میدان الکتریکی اعمالی و همچنین جه تگیری اسپین الکترون ها عوامل موثر بر زمان تون لزنی الکترون ها می باشند. نتایج بدست آمده از این مقاله می تواند در طراحی و ساخت وسایل اسپینترونیکی مفید واقع شود.
نویسندگان
مرجان سمندر علی اشتهاردی
گروه فیزیک ، دانشگاه پیام نور (مرکز مشهد)، مشهد