ورود
مقالات فارسیISIکنفرانسهاژورنالها

مطالعات تغییرات نانو ساختاری زیرلایه های سیلیکونی با تغییرات دزکاشت یون هیدروژن

محل انتشار: نهمین کنفرانس ماده چگال
سال انتشار: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,034

متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:
https://civilica.com/doc/64724

شناسه ملی سند علمی:

CMC09_114

تاریخ نمایه سازی: 6 دی 1387

چکیده مقاله:

در این تحقیق، اثر دز کاشت هیدروژن با انرژی 70keV برخواص میکروونانو ساختاری (400) Si بررسی شده است. نمونه ها در دمای 850 درجه سانتیگراد در یک کوره خلاءبه فشار torr 10-5 به مدت 2ساعت بازپخت شدند. آنالیزهای پراش اشعه ایکس (XRD) و طیف نمایی تبدیل فوریه مادون قرمز (FTIR) ومیکروسکوپ نیروی اتمی (AFM) انجام شده اند تا ساختار نمونه های تابیده شده مطالعه شوند. بر طبق نتایج ما،غلظت هیدروژن با افزایش دز کاشت، افزایش وبا بازپخت، بدلیل فرار هیدروژن بخاطر ایجاد تاول های شکافته شده در سطح سیلیکون، کاهش می یابد.

نویسندگان

زهرا پیراسته

مرکز تحقیقات کشاورزی، پزشکی و صنعتی ، سازمان انرژی اتمی ، کرج و دانشکده

مجید مجتهدزاده لاریجانی

مرکز تحقیقات کشاورزی، پزشکی و صنعتی ، سازمان انرژی اتمی

محمدرضا خانلری

دانشکده علوم پایه،دانشگاه بین المللی امام خمینی قزوین

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • P.Dubcek, B .Pivac;?X-ray reflectivity study of hydrogen implanted silicon? ;Applied ...
  • R.Singh, Investigation of hydrogen implantation _ induce blistering in SiGe^ ...
  • Wojciech Jung, Irina V .Antonova; 'Study of defects in the ...
  • Qin Hu, Martin Zinke- Allmang, ; _ ?Transmission Properties of ...
  • J-H. Huang, H-C .Yang;Effect of film thickness on the structure ...
  • M .A. Vasquez-A, G.Aguila Rodriguez ;?FTIR and photo luminescence studies ...
  • conditions? :Rev.Me.x. Fis53, (6)(2007)43 1-435. ...
  • E.Minani, Z. Sigcau, O .Adgebite, F.L. Ramukosi ;'Microstru cture, optical ...
  • temperatures ;Thin Solid Films _ 50 1(2006)84-87. ...
  • Virginia C oman, Rodica Grecu _ Jurgen Wegmann ;'Solid-State NMR ...
  • M. Dainese ;?Plasma Assisted Technology for Si-based Photonic Integrated Circuits', ...
  • Tsutomu Kaneko, Dai Nemoto ;?FTIR analysis of a- SiC:H films ...
  • X.S.Zhao and G. Q .Lu ; *Modification of MCM-41 by ...
  • J.D.Webb, L.M _ Gedvilas ;*Anisotropy _ Hydrogenated Amorphous Silicon Films ...
  • 3]L.A.Okada, A. C _ Dillon ;?Adsorption and decompo sition of ...
    • نمایش کامل مراجع