شبیه سازی مونت کارلو حالت پایدار در نیمرسانای AlxGa -xAs در حضور میدان های الکتریکی شدید با فرض x= 0/2 و x=0/6
محل انتشار: نهمین کنفرانس ماده چگال
سال انتشار: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,198
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
CMC09_066
تاریخ نمایه سازی: 6 دی 1387
چکیده مقاله:
با استفاده از شبیه سازی مونت کارلو، سرعت سوق الکترون ها در ساختار زینک- بلند Al 0.2 Ga0.4 As و Al 0.6 Ga0.4 As در محدوده دمایی 600-300 k محاسبه شده است. این شبیه سازی بر اساس مدل سه دره ای و اثرات غیر سهموی بودن نوارها نیز منظور شده است. در این شبیه سازی عوامل مختلف پراکندگی الکترون ها ناشی از فونون ها و اتم های ناخالصی در نظر گرفته شده است. تحقیقات نشان می دهد که با افزایش دما به دلیل افزایش آهنگ پراکندگی فنون های اپتیکی سرعت سوق الکترون در میدان های بالاتر کاهش می یابد. منحنی سرعت سوق بر حسب میدان و تحرک پذیری های میدان پایین برای ترکیباتی از این آلیاژها در دماهای مختلف و غلظت ناخالصی های یونیزه مختلف نشان داده شده است.
نویسندگان
ساریه رمضانی ثانی
گروه فیزیک، دانشگاه تربیت معلم، سبزوار
هادی عربشاهی
گروه فیزیک، دانشگاه فردوسی مشهد
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :