بررسی مدارهای دومینو دارای شبکه ارزیابی متفاوت در فناوری 16 نانومتر
محل انتشار: چهارمین کنفرانس ملی و دومین کنفرانس بین المللی پژوهش های کاربردی در مهندسی برق، مکانیک و مکاترونیک
سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 424
فایل این مقاله در 9 صفحه با فرمت PDF و WORD قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ELEMECHCONF04_206
تاریخ نمایه سازی: 11 مرداد 1396
چکیده مقاله:
در این مقاله تکنیکهای مختلف مداری که از تغییر شبکه ارزیابی برای بهبود کارایی گیتهای دومینو عریض استفاده می کنند بررسی و مقایسه می گردند. پارامترهای تاخیر، توان مصرفی، مصونیت در برابر نویز و سطح تراشه مصرفی مدارهای مورد مطالعه با یکدیگر مقایسه می شوند. بدین منظور گیتهای دومینو عریض با استفاده از مدارهای مورد بررسی پیاده سازی شدند تا مشخص شود کدامیک از طرحهای مداری کارایی بهتری دارد. گیتهای عریض با استفاده از نرم افزار HSPICE در تکنولوژی 16 نانومتر CMOS در تاخیر یکسان شبیه سازی شدند. نتایج شبیه سازیها برای گیتهای OR عریض نشان می دهند که تکنیک مداری دومینو با ترانزیستور پایه دیودی (DFD) نسبت به سایر مدارهای مورد بررسی بهترین عملکرد را دارد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
محمد آسیایی
استادیار گروه مهندسی برق، دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه دامغان، دامغان، ایران
حسین آقابزرگی
دانشجوی رشته مهندسی برق، دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه دامغان، دامغان، ایران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :