بررسی تغییرات گاف انرژی و ضریب جذب اپتیکی دی اکسید تیتانیوم در حضورناخالصی

در این مقاله، با استفاده از نرم افزار شبیهسازی VASP ،تغییرات پهنای گاف انرژی در فازهای آناتاز و روتایل دی اکسید تیتانیوم، در اثر افزودن ناخالصیهایی همچون Pb ،Se ،S و Zr مورد بررسی قرار گرفته است. نتایج نشان میدهند که وجود ناخالصیهای Pb ،Se و S میتوانند گاف انرژی را کاهش دهند، اما Zr چنین اثری را بر گاف انرژی ندارد. همچنین لبه جذب دی اکسید تیتانیوم در حضور ناخالصی به سمت ناحیه انرژی پایینتر انتقال پیدا میکند، که این موضوع میتواند راهی برای افزایش جذب انرژی نور خورشید در سلولهای خورشیدی باشد.

کلیدواژه ها:

گاف انرژی ، لبه جذب ، نرم افزار VASP