مد نقص بلورهای فوتونی متقارن حاوی نانو لایه گرافن

سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 325

متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

NANOQODS01_029

تاریخ نمایه سازی: 18 تیر 1396

چکیده مقاله:

تاثیر لایه نقص را در طیف عبور بلورهای فوتونی شامل نانو لایه گرافن مطالعه کردیم. ساختارهای تناوبی از مواد دی الکتریک که در یک، دویا سه بعد آرایش یافتهاند بلورهای فوتونی نامند[ 1]. زمانی که ساختار تناوبی آنها بهم زده شود، بلور دچار نقص میگردد. وجود نقص در.[ بلورهای فوتونی نیز موجب ایجاد مد نقص در باند ممنوعه فرکانسی[ 2] یا گاف باندهای فوتونی میگردد

نویسندگان

ربابه طالب زاده

گروه فیزیک، واحد تبریز، دانشگاه آزاد اسلامی، تبریز، ایران

فاطمه غفاری

گروه فیزیک، واحد تبریز، دانشگاه آزاد اسلامی، تبریز، ایران

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • Y. Zeng, Y. Fu, X. Chen, W. Lu and H. ...
  • E. Rehman, J. Mater. Sci.Ma ter. Electron. Vol. 20, (2009). ...
  • Z.-F. Sang, Opt. Commun. Vol. 273, (2007). ...
  • Y. Zhang, Z. Wu, Y. Cao, H. Zhang, Optics Communic ...
  • C.H. Raymond Ooi, T.C. Au Yeung, Phys. Rev. B. 61, ...
  • نمایش کامل مراجع