اپ امپ با بهره بسیار بالا مبتنی بر ساختارهای خودکسکود CMOS

تقویتکننده عملیاتی CMOS دو طبقه با بهره بسیار بالا ) 137 dB ( و ساختار سادهای بر طبق معماری کلاسیک ویدلر ارایه شده است. طبقه ورودی تفاضلی تقویتکننده عملیاتی مطرح شده، با ترکیب نسبت معکوس ابعاد ساختارهای خودکسکودی که برای بهرهبرداری در ناحیه زیرآستانه بایاس شدهاند، تکمیل میگردد تا حداقلسازی خازن جبرانکننده کلاسیک به 0.1 pF صورت پذیرد و به ذخیرهسازی قابل توجهی در سطح اشغال شده تراشه منجر گردد. به منظورمقایسه عملکرد تقویتکننده عملیاتی پیشنهادی با طرحهای قبلا گزارش شده، شبیهسازیهای ADS از تکنولوژی 0.18μm CMOS با ولتاژ منبع ±1 V اجرا شدهاند. تقویتکننده عملیاتی پیشنهادی، حاصلضرب بهره پهنای باند بهتر - 1.37 MHz ، مصرف توان کمتر 21 μW و سطح تراشه اشغال شده کوچکتر 2<400 (μm) را نشان میدهد

کلیدواژه ها:

خازن جبرانکننده ، طرح ویدلر ، حاشیه فاز ، توان کم