بهبود بهینهسازی و شبیه سازی یک تقویت کننده ترا رسانایی مبتنی بر تکنولوژیCMOS جهت استفاده در مبدل ولتاژ به جریان

تقویتکننده هدایت انتقالی عنصر اساسی بسیاری از سیستمهای آنالوگ و مرکب(آنالوگ-دیجیتال) هستند. درواقع با استفاده از این تقویتکنندهها میتوان انواع فیلترها و اسیلاتورها با کاربردهای مختلف طراحی نمود. در این پایاننامه طرحهای مختلفی از تقویتکننده هدایت انتقالی ارایهشده است. مدارهایی که مدنظر قرارگرفتهاند، تقویتکننده هدایت انتقالی با تکنیکهای میلر کلاسیک، ترانزیستور ترکیبی تقویتشده و گین بوستینگ هستند. نتایج شبیهسازی نشان میدهد که توان مصرفی مدار پیشنهادی که مبتنی بر سه تکنیک میلر، ترانزیستور ترکیبی تقویتشده و گین بوستینگ است، از سایر ساختارها کمتر بوده و همچنین از بهره بالایی برخوردار است. نتایج گزارششده در این پایاننامه بر اساس شبیهسازی صورت گرفته از طریق نرمافزار HSPICE میباشد. مدارات مختلف تقویتکننده هدایت انتقالی با استفاده از فن6اوری 18ʽm.0 CMOS با ولتاژ منبع 5V.0 طراحی شده است.نتایج بررسیها نشان داد که گین تقویتکننده ترا رسانایی پیشنهادی به میزان 7dB.8 و سویینگ ولتاژ خروجی به میزان 1v ،نسبت به تقویتکننده ترا رسانایی های دیگر پژوهشگران افزایشیافته است و همچنین مدار پیشنهادی علاوه بر سویینگ مطلوب ولتاژ خروجی باعث افزایش بهره شد.

کلیدواژه ها:

تقویتکننده ، هدایت انتقالی ، ترانزیستورهای ترکیبی تقویتشده ، گین بوستینگ ، افزایش بهره