مدلسازی ولتاژ آستانه ترانزیستور ماسفت دو گیتی با گیت دو مادهای متقارن در حضورحاملهای بار متحرک
محل انتشار: چهارمین کنفرانس بین المللی مهندسی برق و کامپیوتر
سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 934
فایل این مقاله در 10 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
COMCONF04_096
تاریخ نمایه سازی: 10 تیر 1396
چکیده مقاله:
در این مقاله یک مدل تحلیلی دوبعدی برای پتانسیل الکتریکی کانال ترانزیستور ماسفت دوگیتی دومادهای متقارن در حضور حاملهای بار آزاد کانال ارایه میشود. پتانسیل به صورت مجموع دو مولفه کانال بلند یک بعدی در راستای عمودبر کانال و مولفه کانال کوتاه دوبعدی ناشی از اثر میدان عرضی بیان میشود. با استفاده از مدل پتانسیل ارایه شده و مفهوم کاتد مجازی و مسیر هدایت موثر، روابط تحلیلی برای ولتاژ آستانه و کاهش سد پتانسیل با القای درین ارایه میشود. مدل پیشنهادی در همه شرایط کاری ترانزیستور )زیر و بالای آستانه( صادق است
کلیدواژه ها:
بار آزاد ، پتانسیل الکتریکی ، ترانزیستور ماسفت دوگیتی ، کاتد مجازی ، کاهش سدپتانسیل با القای درین ، ولتاژ آستانه
نویسندگان
نسیم سلیمانی
گروه مهندسی برق، دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه شهرکرد
سیدامیر هاشمی
گروه مهندسی برق، دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه شهرکرد
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :