بهبود بهینه سازی و شبیه سازی یک تقویت کننده ترارسانایی مبتنی بر تکنولوژی CMOS جهت استفاده در مبدل ولتاژ به جریان

تقویت کننده هدایت انتقالی عنصر اساسی بسیاری از سیستم های آنالوگ و مرکب (آنالوگ دیجیتال) هستند. در واقع با استفاده از این تقویت کننده ها میتوان انواع فیلترها و اسیلاتورها با کاربردهای مختلف طراحی نمود. در اینپایان نامه طرح های مختلفی از تقویت کننده هدایت انتقالی ارایه شده است. مدارهایی که مدنظر قرارگرفته اند،تقویت کننده هدایت انتقالی با تکنیک های میلر کلاسیک، ترانزیستور ترکیبی تقویت شده و گین بوستینگهستند. نتایج شبیه سازی نشان می دهد که توان مصرفی مدار پیشنهادی که مبتنی بر سه تکنیک میلر،ترانزیستور ترکیبی تقویت شده و گین بوستینگ است، از سایر ساختارها کمتر بوده و همچنین از بهره بالاییبرخوردار است. نتایج گزارش شده در این پایان نامه بر اساس شبیه سازی صورت گرفته از طریق نرم افزارHSPICE می باشد. مدارات مختلف تقویت کننده هدایت انتقالی با استفاده از فناوری CMOS 0.18μm باولتاژ منبع 0.5V طراحی شده است.نتایج بررسی ها نشان داد که گین تقویت کننده ترارسانایی پیشنهادی بهمیزان 8.7dB و سویینگ ولتاژ خروجی به میزان 1v ، نسبت به تقویت کننده ترارسانایی های دیگر پژوهشگرانافزایش یافته است و همچنین مدار پیشنهادی علاوه بر سویینگ مطلوب ولتاژ خروجی باعث افزایش بهره شد.

کلیدواژه های بهبود بهینه سازی و شبیه سازی یک تقویت کننده ترارسانایی مبتنی بر تکنولوژی CMOS جهت استفاده در مبدل ولتاژ به جریان:

تقویت کننده ، هدایت انتقالی ، ترانزیستورهای ترکیبی تقویت شده ، گین بوستینگ ، افزایش بهره