شبیه سازی و تحلیل ترانزیستور اثر میدانی نانو سیم نیمه هادی با هدف بهبود کارایی مشخصه هدایت انتقالی

در این مقاله ابتدا با بررسی ترانزیستور اثر میدانی نانو سیم نیمه هادی مستطیلی با گیت فراگیرو شبیه سازی آن و تعیین مقادیربهینه برای مشخصه های طول گیت، غلظت ناخالصی و ارتفاع فین پرداخته شده است و منحنی مشخصه هدایت انتقالی برایمقادیر بهینه شده ترسیم شده است و در نهایت با ارایه ی ساختار پیشنهادی برای ترانزیستور اثر میدانی نانوسیم نیمه هادیمستطیلی با گیت فراگیر که در گیت آن از دو ماده ی آلومینیوم و پلی سیلیکان در مجاورت هم استفاده شده است، ساختارماسفت دو گیتی، شامل دوگیت روی عایق و یک کانال هدایتی (معمولا بدون ناخالصی یا با ناخالصی کم) است که اینکانال به وسیله ی الکترودهای گیت در هر دو طرف احاطه شده است و در این ادوات وظیفه ی کنترل جریان را هر دوگیت برعهده دارند شبیه سازی گردیده و مشخصه هدایت انتقالی آن ترسیم گردیده که بهبود قابل توجهی را نشان میدهد.

کلیدواژه ها:

ترانزیستور نانو سیم نیمه هادی ، فین فت ، مشخصه ولتاژ- جریان ، هدایت انتقالی