تقویت کننده کم نویز فرا پهن باند با بهره بالا و نویز پایین در تکنولوژی CMOS

در این مقاله، یک تقویتکننده کمنویز در تکنولوژی 180n-CMOS برای سیستمهای گیرنده فراپهنایباند ارایه شده است. برای رسیدن به یک بهره بالا و هموار با عدد نویز پایین و تطبیق امپدانس ورودی خوب، تقویتکننده با ساختار کسکود گیت مشترک-سورس مشترک با استفاده از تکنیک استاگر به منظور افزایش پهنای باند و نیز تکنیک استفاده مجدد جریان برای کاهش توان مصرفی مدار، پیادهسازی شده است. مزیت طرح، بهرهگیری از حداقل تعداد سلف و چیدمان درست المانها و انتخاب مقادیر آنها درجهت بهبود عملکرد و معرفی طرحی به مراتب بهتر از نقطه نظر شاخصهای عملکرد در مقایسه با دیگر ساختارهای ارایه شده درسالهای گذشته، میباشد. به نحوی که سبب افزایش بهره، کاهش نویز و افزایش تطبیق امپدانس ورودی گردیده است. تقویتکننده با پهنایباند GHz 6,10 -1,3 ،عدد نویز 9dB,3 و بهره توان 8dB,11 ،بهره معکوس 57dB -و ضریب انعکاس ورودی و خروجی کمتر از 1dB,12 -و 3dB,16 -و IIP3 ،dBm 10 -درتمامی پهنایباند با توان مصرفی 9,14میلیوات با ولتاژ تغذیه 5,1 ولت عرضه شده است.

کلیدواژه ها:

پهنای باند وسیع ، تقویتکننده کمنویز ، تکنولوژی CMOS