طراحی تقویت کننده کم نویز بهینه با پهنای باند بسیار وسیع در تکنولوژی CMOS
سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 885
فایل این مقاله در 14 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
COMCONF03_028
تاریخ نمایه سازی: 6 اردیبهشت 1396
چکیده مقاله:
در این مقاله یک تقویت کننده کم نویز دو طبقه با استفاده از تکنیک استفاده مجدد جریان در هر دو طبقه و در پهنای باند فرکانسی بالا (GHz 3-11 ) طراحی شده است. از مزایای تکنیک استفاده مجدد جریان داشتن بهره بالا و توان مصرفی کم می باشد. در این طراحی از فناوری CMOS 0 با عرض 0/13 میکرومتر و همچنین نرم افزار ADS جهت شبیه سازی مدار و بررسی نتایج استفاده شده است که نتایج حاصله بدین صورت است که مدار گین مسطحی در حدود 15 دسی بل با ضریب تلفات ورودی (S11) کمتر از 13dB- و ضریب تلفات خروجی (S22) کمتر از 10dB- و ایزولاسیون معکوس (S12) کمتر از 30dB- بدست می دهد. توان مصرفی که از باطری 1.126v می کشد حدود 8.1 میلی وات می باشد و عدد نویز این مدار بین dB 3-1.9 بوده که از نقطه قوت این مدار به شمار می آید.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
سید مرتضی محمدی زارچ
کارشناس ارشد مهندسی مخابرات میدان، دانشگاه تحصیلات تکمیلی و فناوری پیشرفته کرمان
محمدحسین استوارزاده
استادیار مهندسی برق، دانشگاه تحصیلات تکمیلی و فناوری پیشرفته کرمان
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :