مطالعه نوسانات زیرآستانه در ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی تونل زنی و بهبود آن با تغییر ساختار پایه

با کاهش ابعاد فیزیکی ماسفت های نانولوله کربنی، جریان نشتی حالت خاموش آنها در ولتاژهایدرین-سورس بزرگ به علت تونلزنی مستقیم سورس-درین به طور قابل توجهی افزایش می یابد. اینمکانیسم باعث افزایش یک بار تودهای در ناحیه کانال شده و مانع میشود که گیت به طور کامل بهحالت خاموش تغییر حالت دهد. بنابراین کوچک کردن این افزاره به دلیل محدودیت های مربوط بهتوان مصرفی با مشکل مواجه می شود. در این مقاله یک ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی تونل زنیجدید به منظور کاهش نوسانات زیر آستانه ارایه شده است. در افزارهی پیشنهادی در ناحیه درین ازیک پله با ناخالصی سبک استفاده شده است. نتایج شبیه سازی نشان می دهد که در ساختار جدیدجریان حالت خاموش و مصرف توان کاهش مییابد و نوسانات زیر آستانه به مقدار قابل توجهیکاهش پیدا می کند. برای شبیه سازی این ساختارحل خودسازگار معادله های پواسون- شرودینگر وروش تابع گرین غیرتعادلی به کار رفته و از نرمافزار MATLAB استفاده شده است.

کلیدواژه ها:

ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی تونلزنی ، جریان حالت خاموش ، نوسانات زیرآستانه