ارائه یک طراحی جدید در مدار دیجیتال سلول حافظه برای کاهش توان مصرفی به کمک کاهش جریان نشتی

کاهش ابعاد مدارات دیجیتال و ترانزیستورها یکی از چالش های امروزه در طراحی و ساخت مدارات مجتمع می باشد و با توجه به این نکته که یکی از ابزارهای مورد استفاده در ساخت و طراحی سیستمهای دیجیتال گیت قابل برنامه ریزی میدانی می باشد که این ابزار در ساخت و طراحی بسیاری از مدارت دیجیتال با ابعاد کوچک کاربرد دارد. توان مصرف شده در گیت قابل برنامه ریزی میدانی یکی از عوامل تاثیر گذار در این ابزار است که ناشی از جریان نشتی در ترانزیستور های پیکربندی می باشد که تعداد ترانزیستورهای تشکیل دهنده عامل این مهم می باشد. در نتیجه عامل اصلی و مهم در مصرف توان گیت قابل برنامه ریزی میدانی جریان نشتی ترانزیستور ها می باشد. با توجه به این نکته که سلول های حافظه بخش زیادی از ساختار گیت قابل برنامه ریزی میدانی را شامل می شوند کاهش جریان نشتی در این بخش تاثیر زیادی در کاهش توان مصرفی کلی را دارد.

کلیدواژه ها:

آرایه گیت قابل برنامه ریزی میدانی ، سوییچ مسیریابی ، سلول حافظه ، جریان نشتی