ناشر تخصصی کنفرانس های ایران

لطفا کمی صبر نمایید

Publisher of Iranian Journals and Conference Proceedings

Please waite ..
ناشر تخصصی کنفرانسهای ایران
ورود |عضویت رایگان |راهنمای سایت |عضویت کتابخانه ها
عنوان
مقاله

Effect of voltage on the structure and electrical properties of direct current (DC) magnetron sputter-deposited copper films on glass substrate

سال انتشار: 1395
کد COI مقاله: IMES10_040
زبان مقاله: انگلیسیمشاهده این مقاله: 281
فایل این مقاله در 9 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

خرید و دانلود فایل مقاله

با استفاده از پرداخت اینترنتی بسیار سریع و ساده می توانید اصل این مقاله را که دارای 9 صفحه است به صورت فایل PDF در اختیار داشته باشید.
آدرس ایمیل خود را در کادر زیر وارد نمایید:

مشخصات نویسندگان مقاله Effect of voltage on the structure and electrical properties of direct current (DC) magnetron sputter-deposited copper films on glass substrate

Sedigheh Pirsalami - Ph.D. student, Materials Engineering Department of Materials Science and Engineering, School of Engineering, Shiraz University, Shiraz, Iran
Seyyed Mojtaba Zebarjad - Professor, Materials Engineering Department of Materials Science and Engineering, School of Engineering, Shiraz University, Shiraz, Iran
Habib Daneshmanesh - Professor, Materials Engineering Department of Materials Science and Engineering, School of Engineering, Shiraz University, Shiraz, Iran

چکیده مقاله:

In the present study, 200-nm thick copper films are successfully deposited on glass substrate by direct current magnetron sputtering technique. The effect of the sputtering voltage (100 V - 300 V) on the structure and electrical properties of the deposited films are studied. The composition, morphology and structure of the films are investigated by energy dispersive x-ray spectroscopy (EDAX), scanning electron microscopy (SEM) and X-ray diffraction (XRD) analysis, respectively. The results show that the crystallinity of the films increases pronouncedly as the sputtering voltage increases from 100 V to 150V. At all sputtering voltages; the films grow with their {111} planes parallel to the film surface. Higher voltages favor directional growth but the preferred {111} growth direction remains the same. The resistivity of the films sharply decreases at the voltage of 100V. Further increase in the voltage results in a slight decreasing trend in resistivity and at the voltage of 300V the resistivity reaches the value of 4.6125 Ω/sq.

کلیدواژه ها:

Thin film, Copper, Direct current magnetron sputtering, Voltage, Structure, Electrical conductivity

کد مقاله/لینک ثابت به این مقاله

کد یکتای اختصاصی (COI) این مقاله در پایگاه سیویلیکا IMES10_040 میباشد و برای لینک دهی به این مقاله می توانید از لینک زیر استفاده نمایید. این لینک همیشه ثابت است و به عنوان سند ثبت مقاله در مرجع سیویلیکا مورد استفاده قرار میگیرد:

https://civilica.com/doc/574488/

نحوه استناد به مقاله:

در صورتی که می خواهید در اثر پژوهشی خود به این مقاله ارجاع دهید، به سادگی می توانید از عبارت زیر در بخش منابع و مراجع استفاده نمایید:
Pirsalami, Sedigheh and Zebarjad, Seyyed Mojtaba and Daneshmanesh, Habib,1395,Effect of voltage on the structure and electrical properties of direct current (DC) magnetron sputter-deposited copper films on glass substrate,10th joint meeting of the 5th International Conference on Materials and Metallurgical Engineering Society and Iranian Foundry Society,Shiraz,,,https://civilica.com/doc/574488

در داخل متن نیز هر جا که به عبارت و یا دستاوردی از این مقاله اشاره شود پس از ذکر مطلب، در داخل پارانتز، مشخصات زیر نوشته می شود.
برای بار اول: (1395, Pirsalami, Sedigheh؛ Seyyed Mojtaba Zebarjad and Habib Daneshmanesh)
برای بار دوم به بعد: (1395, Pirsalami؛ Zebarjad and Daneshmanesh)
برای آشنایی کامل با نحوه مرجع نویسی لطفا بخش راهنمای سیویلیکا (مرجع دهی) را ملاحظه نمایید.

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :

  • پنجمین کنفرنس بین لمللی مهندسی _ ومتلویی ودهمین کنففنس مشترکفجمن ...
  • K.-Y. Chan, T.-Y. Tou, and B.-S. Teo, "Thickness dependence of ...
  • A. Augustin, K. R. Udupa, and U. B. K, "Effect ...
  • T. He, A. Xie, D. H. Reneker, and Y. Zhu, ...
  • P. C. Hsu, D. Kong, S. Wang, H. Wang, A. ...
  • S. An, H. S. Jo, D.-Y. Kim, H. J. Lee, ...
  • Z. Li, A. Rahtu, and R. G. Gordon, "Atomic Layer ...
  • M.-T. Le, Y.-U. Sohn, J.-W. Lim, and G.-S. Choi, "Effect ...
  • K. Ellmer, "Magnetron sputtering of transparent conductive zinc oxide: relation ...
  • K. Mech, R. Kowalik, and P.Zabihski, _ Thin Films Deposited ...
  • , 9 Nov. 2016 Shiraz University ...
  • , 9 Nov. 2016 Shiraz University ...
  • J.-W. Lim, K. Mimura, and M. Isshiki, "Thickness dependence of ...
  • مدیریت اطلاعات پژوهشی

    صدور گواهی نمایه سازی | گزارش اشکال مقاله | من نویسنده این مقاله هستم

    اطلاعات استنادی این مقاله را به نرم افزارهای مدیریت اطلاعات علمی و استنادی ارسال نمایید و در تحقیقات خود از آن استفاده نمایید.

    علم سنجی و رتبه بندی مقاله

    مشخصات مرکز تولید کننده این مقاله به صورت زیر است:
    نوع مرکز: دانشگاه دولتی
    تعداد مقالات: 18,098
    در بخش علم سنجی پایگاه سیویلیکا می توانید رتبه بندی علمی مراکز دانشگاهی و پژوهشی کشور را بر اساس آمار مقالات نمایه شده مشاهده نمایید.

    مقالات مرتبط جدید

    به اشتراک گذاری این صفحه

    اطلاعات بیشتر درباره COI

    COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

    کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.

    پشتیبانی