تعیین چگالی سطحی بارهای میانگاه اتصال Ti/Si رونشانده به روش پاشش پلاسمایی
محل انتشار: سومین کنفرانس ملی خلاء
سال انتشار: 1386
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,170
فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NCV03_038
تاریخ نمایه سازی: 1 شهریور 1387
چکیده مقاله:
در این مقاله با پاشش پلاسمایی Ti بر روی سطح تمیز Si ساختار دور آلاییده معکوس p-Si/SiGe/Si اتصال فلز - نیمه رسانای Ti/Si به عنوان دریچه ایجاد گردید. در لایه آلیاژی این ساختار یک گاز حفره ای دو بعدی (2DHG) با چگالی سطحی ns وجود دارد و با اعمال ولتاژ مناسب به دریچه Vg میتوان چگالی آن را تغییر داد. با برازش نظری نتایج تجربی ns-Vg به محاسبه چگالی سطحی بارهای میانگاه Ti/Si پرداختیم. نتایج نشان می دهد که با افزایش ضخامت لایه Si پوششی از 180 به 480 نانومتر چگالی سطحی بارهای میانگاه Ti/Siبه ترتیب از 4/6 ضربدر 10 به توان15 cm-2 به 1/95 ضربدر 10 به توان 15 کاهش می یابد.
نویسندگان